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钼及钼合金

  • 钼基片台
钼基片台

钼基片台

  • 牌号:Mo1,MoLa,Moly361
  • 纯度:≥99.95%
  • 规格:根据客户图纸和具体要求加工定制
  • 标准:GB/T 3876-2017,GB/T 4182-2017,ASTM B386-2003,ASTM B387-2010
  • 用途:MPCVD钼基片台是微波等离子体化学气相沉积设备中的核心组件,采用高纯度钼材料制造,具有2620°C的高熔点、优异的热导率和耐腐蚀性。必隆金属支持定制化设计,提供多种尺寸、形状和表面处理选项,确保高精度、高可靠性和长寿命,满足不同客户需求。立即联系我们,获取高效解决方案!
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1. 产品概述

MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)钼基片台是一种专为高温、高压环境设计的关键部件,广泛应用于半导体制造、光学涂层、金刚石薄膜沉积等领域。钼基片台以其优异的热稳定性、高熔点和良好的机械性能,成为MPCVD设备中不可或缺的核心组件。

2. 产品特点

  • 高熔点:钼的熔点高达2620°C,适合极端高温环境。

  • 优异的热导率:确保基片台表面温度均匀分布,避免局部过热。

  • 高机械强度:在高应力条件下保持稳定,延长使用寿命。

  • 耐腐蚀性:在化学活性气体中表现出色,适合复杂工艺环境。

  • 高纯度:采用高纯度钼材料,减少杂质污染,提升沉积薄膜质量。

  • 定制化设计:可根据客户需求提供不同尺寸、形状和表面处理的基片台。

3. 应用领域

  • 半导体制造:用于硅片、GaN、SiC等材料的沉积。

  • 光学涂层:用于增透膜、反射膜等光学薄膜的制备。

  • 金刚石薄膜沉积:用于工具、模具等表面的金刚石涂层。

  • 科研实验:适用于高温高压条件下的材料研究和新工艺开发。

4. 技术参数

  • 材质:高纯度钼(Mo)

  • 熔点:2620°C

  • 热导率:138 W/m·K

  • 密度:10.2 g/cm³

  • 纯度:≥99.95%

  • 尺寸:支持定制(直径、厚度等)

  • 表面处理:可提供抛光、涂层等定制化处理

5. 产品优势

  • 高性能:在极端条件下保持稳定,确保工艺一致性。

  • 长寿命:耐高温、耐腐蚀,减少设备停机时间和维护成本。

  • 高精度:表面平整度高,确保薄膜沉积均匀性。

  • 定制化服务:根据客户需求提供个性化设计和制造服务。

  • 优质售后服务:提供全面的技术支持和维护服务。

6. 使用与维护

  • 安装:确保基片台与设备匹配,避免机械应力。

  • 清洁:定期清理表面污染物,保持高纯度和性能。

  • 检查:定期检查磨损和腐蚀情况,及时更换或维护。

7. 适用设备

  • MPCVD设备

  • 化学气相沉积(CVD)设备

  • 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备

  • 其他高温薄膜沉积设备

MPCVD钼基片台凭借其优异的性能和可靠性,在半导体、光学涂层和金刚石薄膜沉积等领域发挥着重要作用。无论是大规模生产还是科研实验,钼基片台都能提供高效、稳定的支持,是MPCVD设备中的核心组件。

如需更多信息或定制服务,请联系我们的销售团队。我们将为您提供专业的解决方案和优质的服务!

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