MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)钼基片台是一种专为高温、高压环境设计的关键部件,广泛应用于半导体制造、光学涂层、金刚石薄膜沉积等领域。钼基片台以其优异的热稳定性、高熔点和良好的机械性能,成为MPCVD设备中不可或缺的核心组件。
高熔点:钼的熔点高达2620°C,适合极端高温环境。
优异的热导率:确保基片台表面温度均匀分布,避免局部过热。
高机械强度:在高应力条件下保持稳定,延长使用寿命。
耐腐蚀性:在化学活性气体中表现出色,适合复杂工艺环境。
高纯度:采用高纯度钼材料,减少杂质污染,提升沉积薄膜质量。
定制化设计:可根据客户需求提供不同尺寸、形状和表面处理的基片台。
半导体制造:用于硅片、GaN、SiC等材料的沉积。
光学涂层:用于增透膜、反射膜等光学薄膜的制备。
金刚石薄膜沉积:用于工具、模具等表面的金刚石涂层。
科研实验:适用于高温高压条件下的材料研究和新工艺开发。
材质:高纯度钼(Mo)
熔点:2620°C
热导率:138 W/m·K
密度:10.2 g/cm³
纯度:≥99.95%
尺寸:支持定制(直径、厚度等)
表面处理:可提供抛光、涂层等定制化处理
高性能:在极端条件下保持稳定,确保工艺一致性。
长寿命:耐高温、耐腐蚀,减少设备停机时间和维护成本。
高精度:表面平整度高,确保薄膜沉积均匀性。
定制化服务:根据客户需求提供个性化设计和制造服务。
优质售后服务:提供全面的技术支持和维护服务。
安装:确保基片台与设备匹配,避免机械应力。
清洁:定期清理表面污染物,保持高纯度和性能。
检查:定期检查磨损和腐蚀情况,及时更换或维护。
MPCVD设备
化学气相沉积(CVD)设备
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备
其他高温薄膜沉积设备
MPCVD钼基片台凭借其优异的性能和可靠性,在半导体、光学涂层和金刚石薄膜沉积等领域发挥着重要作用。无论是大规模生产还是科研实验,钼基片台都能提供高效、稳定的支持,是MPCVD设备中的核心组件。
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